微波等离子去胶机

Microwave Plasma System For Wafer Processing

ü 晶圆表面活化
ü 光刻胶去除 *带加热盘
ü PI和SU-8等环氧树脂类胶去除 *带加热盘
ü MEMS牺牲层去除PI Release
ü DESCUM打底膜去浮渣

技术参数

 

温控范围: 1.9K – 400K连续控制22

温度拓展: 50mK 稀释制冷机

             0.4K He3制冷机

             1000K VSM高温炉

温度扫描速率:0.01 – 8 K/min(非自循环型号)

温度稳定性:  ±0.2%   T < 10K

                 ±0.02%  T > 10K

温度控制模式:快速模式 非过冲模式  扫描模式

磁场范围:所含超导磁体大场(可选):

              ±9T;±14T;±16T

磁场分辨率:  0.02 mT to 1 T

                 0.2 mT to 9 T

磁场稳定性:  1PPM/hour

变场速率:     10-200 Oe/s

剩磁:          < 5 Oe(9T以振荡模式降场)

磁体操作模式:闭环模式和驱动模式

磁场逼近模式:振荡模式 非过冲模式    

                 线性模式 扫描模式

PPMS 平台提供多种测量选件

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