AT650/850P 台式等离子原子层沉积设备
AT650/850P 台式等离子原子层沉积设备，其以热系统，配备新高级空心阴极源与 60 MHz RF，有低氧污染等特点；占地小，可容纳 6 英寸及更小样品，可选定制卡盘；有 4 个有机金属源前驱体、多达 4 个氧化剂 / 还原剂源；具备高温兼容快速脉冲 ALD 阀等；温度范围广，静态处理模式可获高曝光 。
AT650/850P 台式等离子原子层沉积设备，其以热系统，配备新高级空心阴极源与 60 MHz RF，有低氧污染等特点；占地小，可容纳 6 英寸及更小样品，可选定制卡盘；有 4 个有机金属源前驱体、多达 4 个氧化剂 / 还原剂源；具备高温兼容快速脉冲 ALD 阀等；温度范围广，静态处理模式可获高曝光 。
AT650/850P 台式等离子原子层沉积设备，其以热系统，配备新高级空心阴极源与 60 MHz RF，有低氧污染等特点；占地小，可容纳 6 英寸及更小样品，可选定制卡盘；有 4 个有机金属源前驱体、多达 4 个氧化剂 / 还原剂源；具备高温兼容快速脉冲 ALD 阀等；温度范围广，静态处理模式可获高曝光 。
特征
· 占地面积小（38.1 厘米，15 英寸宽）台式等离子 ALD
· 高效、远程 300 瓦空心阴极源和 60 MHz 射频发生器
特点：低氧污染、高电子密度、低等离子体损伤
· 综合匹配网络
· 可容纳直径为 6 英寸的样品，并带有可选的可定制卡盘。
· 暖壁铝室，带 40 – 400 °C 的加热样品架（可提供 500 °C）
· 4 种有机金属前驱体可加热至 180°C。
· 多达 4 个氧化剂/还原剂源，每个氧化剂/还原剂源均具有超快 MFC（2 个标准）
· 高温兼容快速脉冲 ALD 阀，具有超快 MFC 和
· 集成惰性气体吹扫
· 静态处理模式下可获得高曝光
规格
· 基板温度从室温到 400 °C ± 1 °C（500 °C 可选）;前驱体温度从 RT 到 180 °C ± 2°C（带加热夹套）
· 占地面积小（15 英寸 x 15 英寸），台式安装，兼容洁净室
· 系统维护简单，公用事业成本低。
· 流线型腔室设计和小腔室容积
· 快速循环能力和高曝光，可进行深度渗透处理
· 完整的硬件和软件联锁，即使在多用户环境中也能安全运行。
选项
· 定制卡盘/压板
· QCM（石英晶体微量天平）
· 额外的反反应物管线（MFC 控制）——最多 2 个额外的
· 可选的起泡器，采用增压技术
· 负载锁（或手套箱集成）
· 外部控制 – PC/软件链接（允许远程编程和运行）
· 高于标准压力状态
设施
有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT650P 安装和启动 ”
· N2 吹扫气体应为 >99.9995%，带有截止阀（调节至 10 – 30 psi，金属密封）。
输入线是 1/4 母头 VCR 压缩接头
通过 1/4 英寸金属线将 99.9995% 氮气 （UHP） 吹扫气体>背面的 1/4 英寸压缩接头连接起来
· 通过 90/110 英寸聚乙烯管或金属线将 1-4 psi CDA（清洁干燥空气）连接到另一个标有 CDA（清洁干燥空气）的 1/4 英寸压缩接头
· 最小 19.5cfm 湿泵（**需要 PTFE 真空流体（如 Fomblin））（干泵是可选的）
NW40 （1.5“） 连接和排气管（带 5cfm > 的抽吸）
大于 1 米应使用 NW50 排气管路
· 前体通过内螺纹 VCR 弯头连接（始终使用新垫圈）。
弯头：1/4“ 垫圈先（戴手套）
有关前驱体的连接，请参阅“AT650P 工具和软件”
软件
有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT650P 安装和启动 ”
带 10 英寸触摸屏的人机界面 （HMI） PLC 系统
面板
· 适用于标准 ALD 循环沉积的高级控制，如纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜
· 用于高质量、经过测试的工艺的配方数据库
· 自定义配方输入屏幕
· 实时显示工艺状态
· 可单独编程的加热源温度
· 用于三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列
· 快速运行，简单的问题让用户开始
输入子周期和总周期
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