| 实物图 | 中文名称 | 说明 | |
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光刻胶蚀刻残留物清洗剂 Emerging Cleans |
光刻胶去除剂 ›EUV Surfactant Rinse (SR) – 适用于极紫外光刻胶的防图案坍塌技术›EUV Mask Cleans (MC) – 无关键尺寸（CD）损失的完美掩膜清洗技术›Si Etchant –高选择性硅蚀刻试剂系列（针对 二氧化硅/氮化硅的硅蚀刻）›Eco-friendly cleans solutions – 无 NMP、无邻苯二酚，SPM 及 TMAH 的替代工艺 |
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光刻胶蚀刻残留物清洗剂 Post-Patterning Cleans |
光刻胶去除剂与剥离剂›EKC830 –正性光刻胶去除›EKC865 –在不损伤敏感金属的前提下去除正性光刻胶（在使用 Remover 1165的时候）›EKC922 –在不损伤固化或半固化聚酰亚胺的前提下，同时去除正性和负性光刻胶 |
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光刻胶蚀刻残留物清洗剂 LED, TSV, & WLP Cleans |
LED、TSV、WLP 清洗试剂 ›EKC162–用于去除作为 TSV（硅通孔）掩膜的光刻胶；兼容通过焊料电镀或模板印刷实现的晶圆凸块工艺，适用于铜（Cu）和砷化镓（GaAs）材料›EKC175–为去除基于等离子体工艺的类似 TSV（硅通孔）的光刻胶残留物，需具备可水洗且与铝兼容的特性›EKC830–为去除干法刻蚀 TSV（硅通孔）工艺中形成的顽固刻蚀后残留物，以实现无缺陷的通孔填充工艺›EKC922 –用于去除负性光刻胶，兼容砷化镓（GaAs）及种类极其广泛的金属材料 |
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光刻胶蚀刻残留物清洗剂 Post-Etch Cleans |
用于铝（Al）和铜（Cu）互连结构的蚀刻后残留物去除剂（PERR）›EKC265–用于去除蚀刻工艺后产生的光刻胶残留物，无论是否经过氧灰化处理均有效›EKC270(T)–用于去除灰化后的光刻胶残留物、有机聚合物及有机金属蚀刻残留物，同时提升了与钛（Ti）的兼容性。›EKC2100–用于清洁蚀刻后残留物，适用于单晶圆设备，与低温氧化物（LTO）和氧化铟锡（ITO）具有良好的兼容性›EKC6800–用于清洁蚀刻后残留物的系列产品，与铝（Al）和铜（Cu）互连结构兼容，具备低工艺温度特性›EKC580/EKC590–用于去除铜（Cu）互连结构蚀刻后残留物的半水性化学制剂，与超低介电常数（ULK）电介质薄膜兼容 |
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研磨后清洗剂 Post-CMP Cleans |
PCMP清洗剂适用于前端工艺（FEOL）中的氧化铈、多晶硅、二氧化硅材料，中端工艺（MEOL）中的钨材料，以及后端工艺（BEOL）中的铜材料制程›PCMP2110系列–氧化铈浆料化学机械抛光（CMP）清洗产品，专为前端工艺（FEOL）、中间段工艺（MEOL）及存储阵列层中使用氧化铈 CMP 浆料后晶圆的清洗而设计›PCMP3210系列–化学机械抛光（CMP）后钨互连清洗产品，兼容钨（W）和钴（Co）材料，在 TEOS（四乙氧基硅烷）或氮化硅（SiN）表面具有极低的缺陷率›EKC2100–用于清洁蚀刻后残留物，适用于单晶圆设备，与低温氧化物（LTO）和氧化铟锡（ITO）具有良好的兼容性›PCMP5600系列–化学机械抛光后铜互连结构清洗液（PCMP5610/5620/5615/5650） |
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