AT650/850T 台式热原子层沉积设备
AT650/850T 台式热原子层沉积设备，具备现场升级为等离子体模式的能力，占地面积小（38.1 厘米，宽 15 英寸），可容纳直径为 6 英寸或更小的样品。
AT650/850T 台式热原子层沉积设备，具备现场升级为等离子体模式的能力，占地面积小（38.1 厘米，宽 15 英寸），可容纳直径为 6 英寸或更小的样品。
AT650/850T 台式热原子层沉积设备，具备现场升级为等离子体模式的能力，占地面积小（38.1 厘米，宽 15 英寸），可容纳直径为 6 英寸或更小的样品。
Features
· 占地面积小（38.1 厘米;宽 15 英寸，深 15 英寸）台式热敏 ALD
· 可容纳直径为 6 英寸的样品，并带有可选的可定制卡盘。
· 可在现场升级为等离子体。
· 暖壁铝室，带 40 – 400°C 的加热样品架
· 3 种有机金属前驱体可加热至 185°C，另外一种在标准条件下*
· 多达 4 个氧化剂/还原剂源，每个氧化剂/还原剂源均具有超快 MFC（2 个标准）
· 高温兼容快速脉冲 ALD 阀，带有超快 MFC，用于
· 集成惰性气体吹扫
· 静态处理模式下可获得高曝光
* 可升级至 4 个，全部加热至 185°C。
Specifications
· 基板温度从室温到 400 °C ± 1 °C（500 °C 可选）;前驱体温度从 RT 到 180 °C ± 2°C（带加热夹套）
· 占地面积小（15 英寸 x 15 英寸），台式安装，兼容洁净室
· 系统维护简单，公用事业成本低。
· 流线型腔室设计和小腔室容积
· 快速循环能力和高曝光，可进行深度渗透处理
· 完整的硬件和软件联锁，即使在多用户环境中也能安全运行。
Options
· 等离子升级
· 定制卡盘/压板
ATOzone – Ozone generator (required for some films: Pt, Ir, SiO2, MoO2, high quality Al2O3 below 60°C, high quality HfO2)2、MoO2、60°C 以下的高质量 Al2O3、高质量 HfO2）
· QCM（石英晶体微量天平）
· 额外的反反应物管线（MFC 控制）——最多 2 个额外的
· 可选第 4 加热前驱体 （185°C）
· 外部控制 – PC/软件链接（允许远程编程和运行）
· 高于标准压力状态
· 定制系统
设施
有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT650T 安装和启动 ”
· N2 吹扫气体应为 >99.9995%，带有截止阀（调节至 10 – 30 psi，金属密封）。
输入线是 1/4 母头 VCR 压缩接头
通过 1/4 英寸金属线将 99.9995% 氮气 （UHP） 吹扫气体>背面的 1/4 英寸压缩接头连接起来
· 通过 90/110 英寸聚乙烯管或金属线将 1-4 psi CDA（清洁干燥空气）连接到另一个标有 CDA（清洁干燥空气）的 1/4 英寸压缩接头
· 最小 19.5cfm 湿泵（**需要 PTFE 真空流体（如 Fomblin））（干泵是可选的）
NW40 （1.5“） 连接和排气管（带 5cfm > 的抽吸）
大于 1 米应使用 NW50 排气管路
Precursor’s attach via female VCR elbows (always use new gaskets).
弯头：1/4“ 垫圈先（戴手套）
有关前驱体的连接，请参阅“AT650T 安装和启动”
Software
有关详细说明，请参阅我们的演示和视频说明：“AT650T 安装和启动 ”
· 带 10 英寸触摸屏的人机界面 （HMI） PLC 系统
panel
· 适用于标准 ALD 循环沉积的高级控制，如纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜
Recipe database for high quality, tested processes
Custom recipe input screen
Real time display of process status
Individually programmable heated source temperatures
Built-in pulsing sequences for ternary compounds and nano-laminates
Quick running with simple questions to get user going
输入子周期和总周期
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